- 產品型號：PSMN5R8-30LL,115
- 制 造 商：NXP（恩智浦半導體）
- 出廠封裝：8-DFN3333
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 30V QFN3333
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NXP恩智浦完整型號：PSMN5R8-30LL,115
制造廠家名稱：NXP Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 30V QFN3333
系列：-
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：40A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.8 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1316pF @ 15V
功率 - 最大值：55W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：8-DFN3333（3.3x3.3）
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