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Nexperia公司器件型號：PMXB360ENEAZ

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態：在售

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：80V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：1.1A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：4.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：130pF @ 40V

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：400mW（Ta），6.25W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 1.1A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標準封裝：DFN1010D-3

封裝形式：3-XDFN

PMXB360ENEAZ的標準包裝數量(SPQ)：5000 PCS