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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：SSM6J505NU,LF

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss)：12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 4A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：37.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2700pF @ 10V

功率 - 最大值：1.25W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：6-UDFN （2x2）