- 產品型號：TK12A60D(STA4,Q,M)
- 制 造 商：東芝半導體（Toshiba）
- 出廠封裝：TO-220SIS
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
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東芝半導體公司完整型號：TK12A60D(STA4,Q,M)
制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
系列：-
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Ta）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：550 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
供應商器件封裝：TO-220SIS
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